-У вас вопросы?

Главная > Мощный лазерный чип DFB > Мощный DFB-лазерный диодный чип
Мощный DFB-лазерный диодный чип
  • Мощный DFB-лазерный диодный чип

Мощный DFB-лазерный диодный чип

Центральная длина волны:1310 нм

Рабочая температура:-5~75 ℃

Подробнее

Описание

GL-H-310-B-070-B0-X-200-T — это лазерный диод с распределенной обратной связью (DFB) и длиной волны 1310 нм, имеющий структуру BH. В этом чипе используются активные слои с многоквантовыми ямами (MQW) и встроенная решетка распределенной обратной связи (DFB), обеспечивающие стабильную и высокопроизводительную работу.

 

Ключевая особенность
• Высокая мощность
• Лазер с распределенной обратной связью (DFB) на основе многоквантовых ям
• Разработан в соответствии со стандартами Telcordia GR-468
• Соответствует требованиям ROHS

 

Приложение
• SiPh
• Оптические измерительные приборы
• Совместимость с волоконно-оптической связью

Вопрос и коммантации

Linkedin Facebook Tiktok Twitter youtube