-У вас вопросы?

Главная > TO-CAN DFB лазерный чип > 2,5G SUPER-TIA

2,5G SUPER-TIA

Активный диаметр:f55мм

Рабочая температура:-40 ~ +85℃

Температура хранения:-40 ~ +125℃

Подробнее

1.Features.png

· f55мм активный диаметр

· Низкое рабочее напряжение

· Низкая емкость и высокоскоростной APD чип

· Низкий подземный электрический ток

· Высокая стабильность

 

2 Application .png

· GPON оптический трансивер в оптических сетевых блоках.

 

Параметры

Обзн.

Значение

Ед.езм.

APD напряжение 

Vop

VBR

V

Обратный ток

IR

3

   mA

Прямой ток

IF

5

mA

Рабочая температура

Top

-40 ~ +85

Температура хранения

Tstg

-40 ~ +125

Параметры

Обзн.

Мин.

Тип.

Макс.

Ед.езм.

Условие теста

Рабочее напряжение

Vcc

 

3,3

 

V

 

Активный диаметр

D

 

55

 

µm

 

Рабочий ток

Icc

14

20

25

V

 

Обратное разрушающее напряжение

Vbr

38

 

53

V

Idark=10uA

Ширина полосы

BW

 

1,7

 

GHz

-3dB point

Отзывчивость 

Re

8

9

 

A/W

@1310nm, VBR-3V

8,5

10

 

A/W

@1490nm, VBR-3V

Фактор умножения   

M

10

     

@1490nm, VBR-3V

Низкочастотная отсечка

LFC

 

30

 

kHz

 

Емкость чипа

Cchip

   

0,5

pF

VBR-3V

Подземный

электрический ток

Id

   

50

nA

VBR-3V

Спектр реактивности

λ

1000

 

1600

nm

VBR-3V

Чувствительность 

Sen

 

-31,5

-30,5

dBm

1490nm@2.488G

PRBS=223-1,V=VBR-3V, BER≤10-10

Дифференциальное выходное напряжение

VDIFF

 

140

270

mV

 

Выходное 

напряжение

общего типа

VCM

1,4

 

2,0

V

 

 

Вопрос и коммантации

Показ цехов

Сопутствующие товары

разговор

Контакты